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采用单线圈法，利用Agilent E4991A射频阻抗，材料分析仪，研究了退火温度对铁基纳米晶带材的高频磁导率的影响。结果表明：经550℃退火处理的30μm厚样品磁导率实部，随频率增加而减小，在1MHz下为1210，在20MHz下为234，磁导率虚部有类似的变化趋势；比较了30μm厚样品经不同温度退火处理后磁导率的测量结果，得出550℃是一个比较理想的退火温度。