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针对半导体分立器件漏电流失效在后道封装工厂难以确定失效模式和失效机理的问题，引入漏电流的伏安特征曲线分析的方法，针对各种漏电流失效模式进行实验分析，利用漏电流特征曲线的方法将有可靠性风险的器件筛选出来。通过此方法在后道封装测试工厂大规模推广应用，大大提高了失效分析的效率和准确性，提升了产品质量，节约了成本，很好地达到了客户对产品质量和成本的期望。