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通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.444 8;折射率不均匀度小于0.0‰.
平面光波回路用均匀折射率厚SiO2膜制备技术研究
【摘 要】
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通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2004年z1期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划(G2000036602)、国家高技术研究发展计划(2002AA312260)和国家自然科学基金资助项目(69889701)资助项目
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