【摘 要】
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在CH3SiCl3-H2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1 000～1 300℃制备了SiC涂层.研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室
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在CH3SiCl3-H2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1 000～1 300℃制备了SiC涂层.研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程,反应的表观活化能为85～156 kJ/mol.SiC涂层的外观颜色及涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:当沉积温度＜1 150℃时,SiC涂层的外观颜色为银白色,涂层表面致密、光滑;当温度≥1 150℃时,SiC涂层外观颜色逐渐变暗,涂层表面变得疏松、粗糙.利用XRD分析了不同沉积温度下SiC涂层的晶体
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