基于P3HT:PCBM体异质结的正置和倒置太阳能电池性能的数值研究

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采用基于传输矩阵法的光学模型模拟活性层为P3HT:PCBM的太阳能电池,研究了器件结构以及活性层厚度对其光学性能的影响,并分析了相关原因。研究结果表明短路电流密度随活性层厚度增加而增大,倒置结构器件性能优于正置结构器件。由于光的干涉作用,结构不同的器件中光电场强度呈现不同的分布,对于器件性能有很大的影响。通过计算得出了两种结构中短路电流密度随活性层厚度的变化规律,优化了器件的结构。计算结果表明当器件为倒置结构,且活性层厚度为225nm时,器件性能最优,此时短路电流密度为15.5mA/cm2,效率为5.77
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