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通过从种子→原球茎→丛生芽→完整植株的试验过程，筛选出较适合香草兰种子无菌萌发和丛生芽诱导增殖的培养条件。结果表明：在温度32～36℃的暗培养条件下，香草兰种子无菌萌发的最适培养基为VW＋6-BA 1．0mg／L＋NAA 0．1mg／L；诱导丛生芽的最适培养基为MS＋6-BA 3．0mg／L＋NAA 0．1mg／L，温度（26±2）℃，光照强度1500-2000 lx、每天连续光照10h；诱导出的小芽在1／2MS＋NAA 1．0mg／L的生根培养基上培养20d左右即可长出2-4条根，生根率达10