【摘 要】
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一定厚度的低声阻抗支撑层可以在薄膜体声波谐振器（FBAR）与衬底之间形成声学隔离层,防止声波泄漏到衬底当中。掺碳二氧化硅（CDO）是一种低声阻抗材料,对FBAR具有较好的温度补偿效
【机 构】
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西南科技大学信息工程学院,中国工程物理研究院电子工程研究所,中国科学院高能物理研究所
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一定厚度的低声阻抗支撑层可以在薄膜体声波谐振器（FBAR）与衬底之间形成声学隔离层,防止声波泄漏到衬底当中。掺碳二氧化硅（CDO）是一种低声阻抗材料,对FBAR具有较好的温度补偿效果,可以作为FBAR与衬底之间的声学隔离层,从而构成一种新型的CDO-FBAR。为了分析CDO-FBAR与通孔型FBAR相比性能是否退化,以及CDO声学隔离层所需厚度,采用多物理场耦合仿真软件分析了CDO-FBAR和通孔型FBAR的谐振频率、Q值、有效机电耦合系数和S参数,并提取了CDO-FBAR纵向振动位移。分析结果表明：CD
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