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在PN2／PAr2分压比分别为0％，2．5％，5％，10％的溅射气氧化中制备了不同氮含量的Cr-Si-Ni-N薄膜，并研究了薄膜在热处理过程中的晶化，氧化行为以及电性能变化。结果表明，非晶Cr-Si-Ni-N薄膜在加热过程中，将析出晶化相CrSi2，随薄膜中氮含量增加，晶化相的形核与长大减缓，然而，薄膜的抗氧化能力得到提高。与低氮含量Cr-Si-Ni-N薄膜相比，高氮含量Cr-Si-Ni-N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小，欲获得较小电阻温度系数（TCR）需要更高的退火温度。