【摘 要】
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摘要：利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×10^17at／cm^3）n型GaAs接触层的欧姆接触，通过改变AuGe／Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数，获得了最优化的制备条件：AuGe／Ni／Au
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摘要：利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×10^17at／cm^3）n型GaAs接触层的欧姆接触，通过改变AuGe／Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数，获得了最优化的制备条件：AuGe／Ni／Au的厚度为50nm／25nm／100nm，退火温度为400℃，退火时间为120s时，欧姆接触电阻率为最低3．52×10^-4Ωcm^-2，这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。
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