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利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了高压下CsI的电子能带结构、电子态密度、声子谱、声子态密度以及电子和声子的相互作用,探讨了CsI在高压下产生超导电性的物理机制.研究表明,CsI层内的光学振动模式与电子之间的强耦合作用是CsI产生超导电性的主要原因.
CsI高压超导电性的第一性原理
【摘 要】
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利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了高压下CsI的电子能带结构、电子态密度、声子谱、声子态密度以及电子和声子的相互作用,探讨了CsI在高压下产生超导电性的物理机
【机 构】
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白城师范学院物理系,吉林大学超硬材料国家重点实验室
【出 处】
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吉林大学学报：理学版
【发表日期】
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2006年04期
【基金项目】
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教育部留学回国人员科研启动基金和高等学校博士学科点专项基金（批准号：20050183062）.
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