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随着微电子封装技术的快速发展，焊点的电迁移失效问题日益受到关注. 基于有限元法并结合子模型技术对倒装芯片球栅阵列封装（flip chip ball grid array, FCBGA） 进行电-热-结构多物理场耦合分析，详细介绍了封装模型的简化处理方法，重点分析了易失效关键焊点的电流密度分布、温度分布和应力分布，发现电子流入口处易产生电流拥挤效应，而整个焊点的温度梯度较小. 基于综合考虑“电子风力”、温度梯度、应力梯度和原子密度梯度四种电迁移驱动机制的原子密度积分法，并结合空洞形成/扩散准则及失效判据，分