导带的非抛物线性对应变InxGa1-xAs／AlAs量子阱红外谱的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bat_wing

【摘要】

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研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As／AlAs／In0．52Ga0.48As量子阱红外谱的影响．用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内跃迁

【作者】

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杨晓峰温廷敦张文栋

【机构】

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中北大学物理系,中北大学电子科学与技术系

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2005年10期

【关键词】

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8×8 k·p模型非抛物线性红外吸收 8×8k·p model nonparabolicity infrared a

【基金项目】

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国家自然科学基金（批准号：60476063）和山西省自然科学基金（批准号：20041011）资助项目

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研究了导带非抛物线性对应变In0.84Ga0.16As／AlAs／In0．52Ga0.48As量子阱红外谱的影响．用8×8k·p理论分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性、费米能级变化和带内跃迁吸收峰位置的改变．数值分析给出与红外吸收实验相一致的结果，表明导带的非抛物线性对重掺杂量子阱红外谱有显著的影响，从实验红外谱可以推知导带色散的非抛物线性特征．

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