【摘 要】
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一、前言最近几年,人工合成AlN很引人注意。AlN是Ⅲ—Ⅴ类耐熔化合物,是优良的电绝缘材料。它具有高的热导率、电绝缘性、化学稳定性和抗腐蚀性能,其热膨胀系数与Si的热膨胀
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一、前言最近几年,人工合成AlN很引人注意。AlN是Ⅲ—Ⅴ类耐熔化合物,是优良的电绝缘材料。它具有高的热导率、电绝缘性、化学稳定性和抗腐蚀性能,其热膨胀系数与Si的热膨胀系数接近,并有良好的抗弯强度,较容易加工等优点。有些技术先进国家正积极研究和试验将AlN陶瓷用于大功率半导体器件的绝缘基片、高集成度电子线路基片,如计算机、计测仪器上的双极IC,MOS、IC的散热基片等。利用AlN的高声波传导速度特性制作声表面波(SAW)器件,用于高频信息处理机。近些年来,日本的东芝公司,TDK公司,日
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