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分别在1T，2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜，并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究。SEM对薄膜表面形貌研究发现，施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化作用。对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析，推导了磁场作用下的临界形核半径rM和临界形核自由能△GM，引入了磁场对临界形核自由能作用因子fM。对磁场导致晶粒形核能的变化以及形核浓度的影响作了深入分析，rM和△CM减小从而增加临界形核浓度和形核速率是Zn晶粒细化的原因。另外，磁场对扩散的抑制作用也