纳米压痕和划痕法测定氧化硅薄膜材料的力学特性

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：silencegrrr

【摘要】

：

为了研究不同制备工艺对材料力学性能的影响,选择了热氧化、LPCVD和PECVD三种典型工艺,在硅片上制备1μm氧化硅薄膜.通过纳米压痕和划痕检测可知,热氧化工艺制备的SiO2薄膜的

【作者】

：

张海霞张泰华郇勇

【机构】

：

北京大学微电子研究院,中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

纳米压痕纳米划痕力学特性氧化硅热氧化 LPCVD PECVD

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为了研究不同制备工艺对材料力学性能的影响,选择了热氧化、LPCVD和PECVD三种典型工艺,在硅片上制备1μm氧化硅薄膜.通过纳米压痕和划痕检测可知,热氧化工艺制备的SiO2薄膜的硬度和模量最大,LPCVD制备的样品界面结合强度高于PECVD.纳米压痕和划痕技术为此提供了丰富的近表面弹塑性变形和断裂等的信息,是评价微米薄膜力学性能的有效手段.

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