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忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件，也被称为记忆元件．以三种电路元件的通用数学模型为依据，从数学分析的角度，对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立．在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性，正确表现出其独特的记忆特性．通过一系列仿真分析，得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性，验证了模型的有效性．此外，通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析，得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律，为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Si