论文部分内容阅读
对于深沟槽DRAM电容这类纵向深度深（超过5μm）但是平面尺寸又很小（小于0．2μm×0．2μm）的结构来说，传统的TEM制样方法，无法满足其细微结构全面观测的需求，此外传统的方法制样也比较费时，成功率也比较低。介绍了一种“FIB横向切割”技术，适用于对这类结构的观测。它与传统FIB制样方法的主要区别在于，切割方向由纵向切割改为横向切割。用这种方法制备的TEM样品，可以完整地观测同一个深沟槽DRAM电容结构的所有细微结构。制样过程比较简单、速度快、成功率高。以一个实例分析、比较了传统制样方法和新