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基于4英寸前照式576×288EMCCD晶圆，设计了背照式EMCCD器件结构，给出了背照式集成制备工艺方案及工艺过程。对所制备的576×288背照式EMCCD器件进行了性能测试，并完成了成像验证，峰值量子效率较前照式显著提高。
背照式EMCCD图像传感器的研制
【摘 要】
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基于4英寸前照式576×288EMCCD晶圆，设计了背照式EMCCD器件结构，给出了背照式集成制备工艺方案及工艺过程。对所制备的576×288背照式EMCCD器件进行了性能测试，并完成了
【机 构】
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中国兵器工业第214研究所
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2016年2期
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