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本文研究了电子束蒸发的α-Si_(1-x)Er_x 薄膜的光吸收特性.其结果表明,薄膜的组分变化对近红外长波的吸收特性影响较大;光学带隙随组分 x_(Er) 的增大而变窄,由1.52eV 减小到约1.22eV;掺入适量的 Er 能部分地补偿 a-Si 薄膜中的硅悬挂键.本文还利用 Cody 的无序理论,结合 T.Oestereich 等人对 a-Si∶H∶Er 薄膜的光致发光研究,对实验结果进行了分析讨论.