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根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流－电压关系设计出了一套简易的实验装置，了４０ＣＰＱ０４５肖特基在势垒二极管芯片小电流下的正向电流－电压特性。通过外推４０Ａ大电流下芯片结压降的数值，验证了通过小电流正向电流－电压特性曲线来外推预测大电流下芯片结压降值的可行性。
肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究
【摘 要】
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根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流－电压关系设计出了一套简易的实验装置，了４０ＣＰＱ０４５肖特基在势垒二极管芯片小电流下的正向电流－电压特性。通过外推４０Ａ大电流下芯片结压降的数值，验
【机 构】
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西安交通大学,卫光爱尔电子有限公司
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1999年6期
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