有机发光二极管（OLED）经过过去几十年的发展,已经在高质量的平板显示器和固态照明方面得到应用。但是,无论OLED显示器还是固态照明设备都迫切需要获得更高的效率,更稳定的性能,以及更低的成本,这些依然是阻碍OLED发展的严重问题。对此,本论文做了以下三方面研究:首先,MoO₃掺杂4,4′-[N-（1-萘基）-N-苯基-氨基]联苯（NPB:MoO₃质量比为2:1）与MoO₃掺杂4,4’-双（N-二咔唑）-2,2’联苯（CBP:MoO₃质量比为2:1）作为p型掺杂的空穴传输层分别使用在反向有机发光二极管（IOLEDs）中。由于CBP:MoO₃到NPB的空穴传输能垒小于NPB:MoO₃到NPB的空穴传输能垒,并且NPB:MoO₃的电导率大于CBP:MoO₃,使得NPB/10 nm CBP:MoO₃/10 nm NPB:MoO₃的双p掺杂层结构相比于NPB/20 nm NPB:MoO₃和NPB/20 nm CBP:MoO₃结构提高了器件性能,我们又具体讨论了这种结构对电导率和传输能垒的影响。其次,为了获得更好的掺杂效果,我们采用MoO₃掺杂NPB（NPB:MoO₃）和2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌掺杂NPB（NPB:F₄-TCNQ）组成的杂化p型掺杂空穴传输层制备出反向有机发光二极管器件。与20 nm NPB:MoO₃/Al结构相比10 nm NPB:F4-TCNQ/10 nm NPB:MoO₃/Al结构使器件性能得到了提高。最后,由于以CBP为代表的材料可以作为磷光染料的空穴传输主体,对于使用p型掺杂层提高注入CBP层空穴电流的研究尤为重要。我们提出使用具有较高电导率的NPB:F₄-TCNQ与NPB:MoO₃以及CBP:MoO₃相结合的三层杂化p型掺杂空穴传输层结构,使用在正向有机发光二极管中来提高CBP中空穴电流的注入,并对机理进行了讨论。