一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源

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根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用曲率补偿技术,对一阶温度补偿电路进行高阶补偿,获得了一种结构简单,电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺实现,用Spectre进行仿真。结果表明,在3.3V电源电压下,在-30℃~125℃范围内,温度系数为3.2×10^-6/℃;在27℃下,10Hz时电源抑制比(PSRR)高达118dB,1kHz时(PSRR)达至086dB。
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