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报道了一个部分耗尽（PD）SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型。该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构，即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发，以一定温度下PD SOI NMOSFET休－射结电流与漏－体结电流的动态平衡为核心，采用解析迭代方法求解，得出漏－体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体－射结电压，及漏－体结和体－射结电流的各主要分量，进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型，并将一定条件下的模拟结果与