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提出了一种强脉冲发生器的设计方案,应用此方案设计了基于IGBT控制充电、可控硅控制放电、可以自动运行的脉冲磁场发生设备。最大直流电压达到1 200 V,在放电线圈中心得到10T的磁场。该设备由1片AT89C52单片机控制其实现自动运行和手动运行,得到最高1 Hz的强脉冲磁场,并阐述了磁场的标定方法。