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本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定住置是Pt吸附在桥住;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替住掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.
缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究
【摘 要】
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本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定住置是Pt吸附在桥住;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphe
【机 构】
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河南师范大学物理与信息工程学院,河南省光伏材料重点实验室
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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2004年期
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