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In2O3基热线型气敏元件的研制
In2O3基热线型气敏元件的研制
来源 :郑州轻工业学院学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:marine_ogz
【摘 要】
:
在自制的In2O3里,掺入适当配比的PtO2,GeO2,ZnO,V2O5等金属氧化物构成气敏材料,用Pt丝作加热丝,采用热线型工艺,850℃烧结1 h可得In2O3基气敏元件.该元件对可燃性气体CH4,LPG
【作 者】
:
宋立新
钟克创
詹自力
高胜国
尚中锋
彭春红
【机 构】
:
河南省郑州水利学校,河南汉威电子有限公司,郑州大学
【出 处】
:
郑州轻工业学院学报:自然科学版
【发表日期】
:
2003年2期
【关键词】
:
氧化铟
气敏元件
灵敏度
金属氧化物
烧结
研制
indium oxide
gas sensor
sensitivity
metal oxide
sinteri
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在自制的In2O3里,掺入适当配比的PtO2,GeO2,ZnO,V2O5等金属氧化物构成气敏材料,用Pt丝作加热丝,采用热线型工艺,850℃烧结1 h可得In2O3基气敏元件.该元件对可燃性气体CH4,LPG,H2等有很高的灵敏度,适用于家用可燃性气体报警器.
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