【摘 要】
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为提高GaAs/Ge太阳电池对光的吸收,我们对Ge衬底Bragg反射器进行了研究.根据GaAs材料对太阳光谱的吸收特点,通过转移矩阵的方法,对中心波长为850nm的AlxGa1-xAs系材料Bragg反
【机 构】
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天津电源研究所,天津,300381
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为提高GaAs/Ge太阳电池对光的吸收,我们对Ge衬底Bragg反射器进行了研究.根据GaAs材料对太阳光谱的吸收特点,通过转移矩阵的方法,对中心波长为850nm的AlxGa1-xAs系材料Bragg反射器进行了光反射的理论计算和设计.依据理论设计,利用低压金属有机化合物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在Ge衬底上外延生长中心波长为850nm的Bragg结构,测得的反射谱与理论设计相吻合,X-Ray双晶衍射测得的Bragg周期厚度为110nm.制作出具有埋层Bragg结构的GaAs/Ge太阳电池.对整个电池吸收系数的测试结果表明具有埋层Bragg结构的太阳电池的吸收系数低于无Bragg结构的电池.AM1.5光谱下电池I-V曲线测试结果为:Voc＝1.033V,Jsc＝26.04mA/cm2,FF＝82.52%,η＝22.2%,对电池性能作了初步研究.
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