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高电子迁移率晶体管（HEMT）以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用，本文在传统优化方法的基础上，对差分进化算法进行了改进，并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果表明，2 ×20 μm GaAs HEMT器件S参数模拟结果和测试结果在40GHz频率范围内吻合很好，误差在2％以内。