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利用常规和高分辨电镜（ＨＲＥＭ），研究了热形变诱导的Ｔｉ４５Ａｌ８Ｎｂ２．５Ｍｎ０．０５Ｂ合金中偏离严格取向关系的α２／γ片层界面结构，以及横过片层的Ｔ（Ｑ）型γ孪晶与α２（Ｑ）薄层优先在这些偏离严格取向关系的α２／γ片层界面上形成的机理。由于其片层界面上较大的应力集中，通过界面上的复杂位错核心反应将导致这些Ｔ（Ｑ）型γ孪晶与α２（Ｑ）薄层的产生。