【摘 要】
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提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案(即双U形与双Z形导线囚禁).通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁;如果逐渐
【机 构】
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苏州大学现代光学技术研究所,华东师范大学物理系
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提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案(即双U形与双Z形导线囚禁).通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁;如果逐渐减小直导线中的电流大小,即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁,反之亦然.详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布.研究发现在导线中通以较小的电流,即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率.例如当电流为0.2 A时,其磁场梯度和曲率可分别达到0.2 T/cm和10 T/cm2以上.由于双U形导线囚禁中
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