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高电荷态离子比普通的离子携带较高的势能,势能在材料表面的瞬间释放,能在材料表面形成nm量级的结构损伤。它在纳米刻蚀、小型纳米器件、纳米材料、超小尺寸半导体芯片制作、固体表面处理和固体结构分析等领域具有广泛应用前景。因此对高电荷态重离子（Xe^q＋）引起半导体材料表面（6H-SiC）纳米结构变形进行了研究。采用Xe^18＋和Xe^26＋离子,选取从1×10^14到5×10^15 ions·cm^-2逐渐递增的剂量,以垂直和倾斜60°角两种入射方式辐照6H-SiC薄膜样