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【目的】为了增加Cu2 ZnSnS4价带顶和导带底与水的氧化还原势之间的能量差，使催化反应具有更多的驱动力。【方法】利用第一性原理计算，对Cu2 ZnSnS4电子结构进行分析。【结果】Ag掺入Cu位能够降低其价带顶而不改变导带底位置，而 Ge掺入 Sn位能够提升其导带底而不改变价带顶位置。【结论】通过优化（Cu1-x Agx ）2 Zn（Sn1-y Gey ）S4合金的配比，可使其达到光催化半导体最理想的能带结构。