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研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD 防护器件在30～195℃内的ESD 防护特性进行了测试.讨论了温度对ESD 特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD 防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11％,失效电流也降低近9.1％,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD 特征参数发生上述变化的原因.研究结果为应用于高温电路的ESD 防护器件的设计与开发提供了有效参考.