数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaok131

【摘要】

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研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层

【作者】

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师艳辉杨楠楠马英杰顾溢陈星佑龚谦张永刚

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院大学,中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2019年3期

【关键词】

：

数字递变异变缓冲 INGAAS 光电探测器 digital-gradingmetamorphicbufferInGaAsphotodetectors

【基金项目】

：

the National Key Research and Development Program of China(2017YFB0405300,2016YFB0402400),National Natural Science Foundation of China(61605232,61675225,61775228),the Shanghai Rising-Star Program(17QA

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研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著

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