深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fudxing
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为研究深亚微米尺度下应变SiGe沟改进PMOSFET器件性能的有效性,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了0.18 μm有效沟长SiGe PMOS及Si PMOS器件特性.SiGe PMOS垂直方向采用Si/SiGe/Si结构,横向结构同常规PMOS,N+-poly栅结合P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化.研究表明,经适当设计的SiGe PMOS比对应Si PMOS的IDmax、gm、f T均提高100%以上,表明深亚微米尺度SiGe沟PMOSFET具有很大的性能提高潜力.
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