【摘 要】
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采用循环伏安技术和计时电流技术,研究了ITO上电沉积Pd的过程,发现Pd在ITO表面的电沉积是过电位成核且为不可逆的扩散控制过程;根据Cottrell方程计算得到[PdCl4]2-的扩散系数
【机 构】
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福州大学化学化工学院,福州大学测试中心
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采用循环伏安技术和计时电流技术,研究了ITO上电沉积Pd的过程,发现Pd在ITO表面的电沉积是过电位成核且为不可逆的扩散控制过程;根据Cottrell方程计算得到[PdCl4]2-的扩散系数为2.19×10-5cm2/s;根据Scharifker的理论模型,归一化处理电流-时间曲线,与理论成核曲线对照,判断Pd的成核机理.通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）对Pd的形貌进行分析,讨论了沉积电位和沉积时间对Pd纳米粒子形貌的影响.用X射线粉末衍射（XRD）对Pd纳米粒子进行结构分析,并在0.5
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