离子束反应溅射ZnO薄膜的晶体结构及光学、电学性质研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hello199228

【摘要】

：

采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素.在基片温

【作者】

：

刘建李晓慧

【机构】

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内蒙古大学物理系

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

基片温度 ZNO薄膜光学离子束电学性质晶体结构禁带宽度反应溅射薄膜电阻 C轴取向 ZnO film Ion beam reactive sputt

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采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO薄膜沿c轴择优取向生长的重要因素.在基片温度350 ℃,氧分压1.3 的溅射条件下,得到了完全沿c轴取向生长的只有(002)晶面的ZnO薄膜.薄膜的吸收光谱测量结果表明,基片温度和氧分压对ZnO薄膜的光学禁带宽度有重要影响.不同氧分压、不同基片温度制备的薄膜电阻率相差很大.

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