用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

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为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。
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