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氯化镓（GaN）纳米线阵列是制备下一代光电器件和电子器件最有前途的半导体材料。研究制备规则整齐排列的高质量GaN纳米线阵列，是其商业化应用的基础。本文主要研究气相化学沉积（CVD）法过程中NH3流量、衬底类型以及生长温度实验条件对GaN纳米线阵列形貌结构的影响，并深入探索了不同长度GaN纳米线阵列的光学性质。对CVD生长GaN纳米结构进行SEM表征，表明Ga／N对生长取向影响较大；通过XRD图谱、Raman图谱分析，表明GaN纳涨线的结晶度与衬底材料、生长温度等重要参数相关。使用PL对不同长度GaN纳米线