FinFET、3D NAND推升半导体设备需求

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoshumin82

【摘要】

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<正>从28纳米到20纳米,甚至发展至16/14纳米,未来集成电路制造技术将因晶片工艺制程变化而带给设备商20至30%的成长空间。另外,3DNAND是存储器产业几十年来最大的技术演进,随

【出处】

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集成电路应用

【发表日期】

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2015年10期

【关键词】

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半导体设备 FinFET

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<正>从28纳米到20纳米,甚至发展至16/14纳米,未来集成电路制造技术将因晶片工艺制程变化而带给设备商20至30%的成长空间。另外,3DNAND是存储器产业几十年来最大的技术演进,随着3DNAND堆叠层数不断增加,亦将进一步推升半导体设备需求规模。在电晶体技术方面,Fin FET未来可能利用新材料,譬如硅锗(Silicon Germanium),或是新架

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