【摘 要】
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研究了氧在Ag／SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附．结果表明，脱附谱中出现了对应于表面分子氧(Tp=340K)、体相氧(Tp=570K)和次表层氧(Tp=700～800K)的脱附峰．由于催化剂在制备过程
【机 构】
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复旦大学化学系上海市分子催化与创新材料重点实验室,上海师范大学化学系
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研究了氧在Ag／SiO2催化剂上的超高真空程序升温脱附．结果表明，脱附谱中出现了对应于表面分子氧(Tp=340K)、体相氧(Tp=570K)和次表层氧(Tp=700～800K)的脱附峰．由于催化剂在制备过程中经过高温焙烧，因而其表面原子氧浓度低，脱附谱中未出现原子氧的脱附峰高温焙烧还可使表面缺陷浓度增大，有利于原子氧向体相扩散，形成体相溶解氧，也有利于体相氧向表面扩散，所以对应于体相氧的570K脱附峰较强．体相氧和次表层氧向表面的扩散遵循不同的扩散机理．
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