【摘 要】
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开发了一种具有较高饱和磁感应强度Bs,并且在MHz频率下仍保持较低功耗Pcv的新型MnZn功率铁氧体,分析了不同频率下材料的损耗机制。与3F4相比,本材料在100℃下,30 mT/1 MHz及1
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开发了一种具有较高饱和磁感应强度Bs,并且在MHz频率下仍保持较低功耗Pcv的新型MnZn功率铁氧体,分析了不同频率下材料的损耗机制。与3F4相比,本材料在100℃下,30 mT/1 MHz及10 mT/3 MHz下,Pcv分别为60和115 k W/m~3,低于3F4的135和225 k W/m~3;且本材料Pcv-T(10 mT/3 MHz)曲线平缓,但磁导率偏低;可适用于3 MHz以下频段,促进高频开关电源的小型化。磁谱曲线表明,材料截止频率为8.2 MHz;在3 MHz/10 mT条件下,25、80和120℃的Pcv分别为106、112和116 k W/m~3;25和100℃时,Bs分别为519和453 mT。
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