基于PECVD工艺的a-SiCx：H发光微腔的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：blueuser

【摘要】

：

以PECVD为制备工艺,a-SiO2:H/a-Si:H为布拉格反射镜多层膜,a-SiCx:H为中间腔体发光材料,制备垂直腔面的发光微腔.文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并对微腔的

【作者】

：

但亚平姚永昭王燕岳瑞峰刘理天

【机构】

：

清华大学微电子学研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

发光微腔布拉格反射镜等离子体增强型化学气相淀积 microcavity distributed bragg reflector PECVD

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

以PECVD为制备工艺,a-SiO2:H/a-Si:H为布拉格反射镜多层膜,a-SiCx:H为中间腔体发光材料,制备垂直腔面的发光微腔.文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究.结果表明,该微腔性能良好,能激射出半高宽为9 nm、波长为743 nm的荧光峰,与设计值700 nm基本吻合.

其他文献

对结构设计重要步骤及施工的分析

本文是作者从事建筑业多年积累下的一些心得，论述了建筑结构设计一些比较重要的步骤及实施中的一些要点，希望可以为建筑结构设计业的同行们提供一些帮助。

期刊

布置结构设计

配变监测系统在大旺公用配变台区中的应用

依据配变监测仪及配变监测系统的功能的实现原理，就大旺配营部为了加强公用配变台区的管理，如何确立配变系统的实施方案，如何建立配变监测体系以及该系统在实际应用中取得的成效

期刊

公用配变配变监测系统科技管理应用效益

高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析

对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究.通过对不同k值的M

期刊