【摘 要】
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为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QLED）,并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛（Ti O2）的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,
【机 构】
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东南大学吴健雄学院,东南大学电子科学与工程学院
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为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QLED）,并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛（Ti O2）的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点（QD）作为发光层的结构。研究发现,QLED器件的开启电压为2.6 V,发光高度大于10 cd/m2。实验结果说明了Ti O2可以作为获得高效QLED器件以及其他光电器件的一种有效途径。
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