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,Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors
【作 者】
:
【机 构】
:
State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nucle
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2016年9期
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