高电源噪声抑制比带隙基准源设计

来源 :华侨大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：l1otus

【摘要】

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采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基

【作者】

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吴丽丽

【机构】

：

华侨大学信息科学与工程学院

【出处】

：

华侨大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2012年3期

【关键词】

：

带隙基准源电源噪声抑制比低工作电压低功耗模拟IP bandgap reference power supply rejection ratio low

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采用CSMC 0.35μm工艺,通过在电源和带隙基准源电路间插入电流源缓冲级的方法,设计提高带隙基准源电源噪声抑制能力的带隙基准源.在最低工作电压不变的情况下,所设计的带隙基准电源大幅度提高了电路的电源抑制比,且功耗低.仿真结果表明：电源抑制比值为110dB/40dB,Iq=12μA,Vmin=2.4V,可作为模拟IP（知识产权）且易集成于单片系统中.

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