用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

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【摘要】

：

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子

【作者】

：

周国良盛篪樊永良张翔九俞鸣人黄宜平

【机构】

：

复旦大学表面物理实验室,复旦大学电子工程系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年5期

【关键词】

：

分子束外延单晶硅 SOI结构

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.

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