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主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。
热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响
【摘 要】
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主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处
【机 构】
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上海交通大学材料科学系,上海交通大学微电子技术研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年2期
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