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通常要用多参考态方法才能合理处理需考虑旋轨耦合（SOC）效应的开壳层分子如AuO和AuS的低电子态．事实上，通过选取合适的参考态，采用运动方程耦合簇方法（EOM-CC）也能计算这些分子的一些低电子态。而且EOM-CC方法是单参考态方法，使用起来比多参考态方法更加简单．本文采用最近发展的含旋轨耦合的EOM．CC计算电离能的方法（EOMIP-CC），选取对应的负离子为参考态，在CCSD级别上计算了AuO和AuS低电子态的性质．在不考虑旋轨耦合时，通过比较EOMIP-CCSD和EOMIP-CCSDT的结果考察E