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介绍了最新优化设计的双E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
双E型加速度传感器硅芯片的优化设计
【摘 要】
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介绍了最新优化设计的双E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
【机 构】
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吉首大学物理与电子工程系
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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2003年1期
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